Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… … Большая советская энциклопедия
Siliziumwaferverarbeitungstechnik — silicio plokštelių apdirbimo technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon wafer engineering; silicon wafer processing vok. Siliziumwaferverarbeitungstechnik, f rus. технология обработки кремниевых пластин, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicio plokštelių apdirbimo technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon wafer engineering; silicon wafer processing vok. Siliziumwaferverarbeitungstechnik, f rus. технология обработки кремниевых пластин, f pranc. technologie de traitement des tranches de… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon wafer engineering — silicio plokštelių apdirbimo technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon wafer engineering; silicon wafer processing vok. Siliziumwaferverarbeitungstechnik, f rus. технология обработки кремниевых пластин, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon wafer processing — silicio plokštelių apdirbimo technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon wafer engineering; silicon wafer processing vok. Siliziumwaferverarbeitungstechnik, f rus. технология обработки кремниевых пластин, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
technologie de traitement des tranches de silicium — silicio plokštelių apdirbimo technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon wafer engineering; silicon wafer processing vok. Siliziumwaferverarbeitungstechnik, f rus. технология обработки кремниевых пластин, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
